Datasheet下载- 型号： RN1404S,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1404S,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1404S,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1404S,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1404S,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1404S,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的型号 RN1404S,LF 是一款预偏置双极晶体管（BJT），属于晶体管-双极（BJT）-单，预偏置类型。该器件集成了一个双极晶体管和内置的偏置电阻网络（通常包括基极和发射极电阻），简化了电路设计，无需外部偏置元件，适用于低功耗开关和信号放大应用。 RN1404S,LF 主要应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED驱动、电源管理开关、逻辑电平转换以及小型继电器或负载的控制。由于其内置电阻提高了稳定性并减小了PCB占用空间，特别适合高密度贴装和自动化生产。 该器件工作于较低电流和电压范围，具备良好的开关特性和快速响应能力，适合数字开关电路。其S-Mini封装（如SC-75或类似小型封装）具有优良的散热性能和紧凑尺寸，便于在空间受限的环境中使用。 此外，RN1404S,LF 符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。凭借东芝半导体在可靠性和品质控制方面的优势，该型号广泛用于工业控制模块、家用电器控制板、传感器接口电路等对稳定性和成本敏感的应用场景。 总之，RN1404S,LF 是一款高集成度、小型化、易于使用的预偏置晶体管，适用于各类低频开关与驱动应用，尤其适合追求简洁设计和高可靠性的电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA S-MINI开关晶体管 - 偏压电阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1404S,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1401 |
| 产品型号 | RN1404S,LFRN1404S,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | RN1404SLFCT |
| 典型输入电阻器 | 47 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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