Datasheet下载- 型号： NSVMUN2212T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN2212T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN2212T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN2212T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMUN2212T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN2212T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NSVMUN2212T1G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及家用电器等。其主要功能包括信号开关、逻辑电平转换和小电流驱动。 典型应用场景包括LED驱动电路、电源管理开关、继电器或蜂鸣器控制、微控制器输出信号放大等。由于集成偏置电阻，无需外接基极电阻，节省PCB空间并提高可靠性，特别适合高密度贴装的便携设备。 NSVMUN2212T1G采用SOT-23封装，体积小巧，具备良好的热稳定性和电气性能，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适用于严苛环境下的工业控制和汽车电子应用，如车载传感器模块、车身控制单元等。其高可靠性和一致性也使其成为自动化控制系统中的理想选择。 总之，NSVMUN2212T1G凭借集成化设计、小型封装和稳定性能，广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域，适用于各类低功率开关与驱动应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVMUN2212T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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