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Datasheet下载- 型号： RN1312(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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RN1312(TE85L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1312(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1312(TE85L,F)价格参考￥0.51-￥0.96。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1312(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM。您可以下载RN1312(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1312(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1312(TE85L,F)、品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管，属于 预偏置双极结型晶体管（BJT），常用于以下应用场景： 1. 数字开关电路：该器件具备预偏置功能，可简化电路设计，适用于需要快速开关的逻辑控制电路。 2. 信号放大：作为NPN或PNP型晶体管，可用于小信号放大，适用于传感器信号处理、音频前置放大等场景。 3. 电源管理电路：适合用于低功率DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中的功率控制。 4. 接口电路：在微控制器与外围设备之间提供电平转换和驱动能力增强，适用于通信模块或嵌入式系统。 5. 汽车电子系统：因其稳定性和可靠性，适用于车载控制单元、传感器驱动或车载充电系统等环境。 该晶体管具备良好的封装散热性能和稳定的工作特性，适合高密度PCB布局和自动化装配，广泛应用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50V 100MA USM |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1312 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1312(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | RN1312(TE85LF) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
