Datasheet下载- 型号： DTA114TM3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114TM3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114TM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTA114TM3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA114TM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA114TM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的DTA114TM3T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），属于NPN型，内置基极与发射极电阻，简化电路设计。该器件常用于低电压、低电流的开关和信号放大应用。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装（如SOT-23）和低功耗特性，广泛应用于手机、平板、可穿戴设备中的LED驱动、电源管理开关等。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑信号之间的转换，例如将3.3V信号控制5V或更低电压负载。 3. 接口电路：用于微控制器与外围器件（如继电器、蜂鸣器、传感器）之间的驱动与隔离，内置电阻减少外部元件数量，提高可靠性。 4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器控制板中的小信号开关控制。 5. 电源开关控制：用于开启/关闭电源路径，实现节能待机功能。 DTA114TM3T5G的优势在于集成内部偏置电阻，降低了电路设计复杂度，提高了生产一致性，同时具备良好的开关速度和温度稳定性，适合高密度、小型化电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA114TM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | DTA114TM3T5GOSCT |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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