ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC143ET,235
Datasheet下载- 型号： PDTC143ET,235
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143ET,235由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC143ET,235价格参考。NXP SemiconductorsPDTC143ET,235封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC143ET,235参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC143ET,235 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTC143ET,235是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=4.7kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=4.7kΩ），采用SOT-23小体积封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如STM32、ESP32）IO口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，因内置偏置电阻，可直接由3.3V/5V TTL/CMOS电平驱动，简化外围电路，节省PCB空间； 2. 负载开关与电源管理：适用于低功耗设备中的局部电源通断控制（如传感器供电使能），支持最大100mA集电极电流（IC），具备良好开关特性（典型饱和压降VCE(sat) ≈ 0.1V @ IB=5mA）； 3. 反相器与信号调理：作为单级反相开关使用，实现输入高电平→输出低电平的逻辑反转，响应快、功耗低； 4. 消费电子与便携设备：广泛应用于智能手机配件、TWS耳机充电仓、智能手环等对尺寸、可靠性和成本敏感的场景。 该器件符合AEC-Q101汽车标准（部分批次），亦可用于工业控制板及家电控制模块。注意：使用时需确保输入电压不超过VCEO（−50V）及功耗限制，建议参考Nexperia官方Datasheet进行热设计与驱动匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC143ET,235 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934030990235 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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