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PDTC124EU,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC124EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC124EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC124EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC124EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC124EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC124EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管(Digital Transistor),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)单管。其内部集成基极-发射极间上拉电阻(R1=22 kΩ)和基极-集电极间下拉电阻(R2=22 kΩ),实现“1个电阻+1个晶体管”的简化驱动功能。 典型应用场景包括: ✅ 逻辑电平转换与接口驱动——兼容 3.3V/5V TTL/CMOS 输出,直接驱动LED、继电器线圈、小型蜂鸣器或MOSFET栅极; ✅ 微控制器(MCU)I/O口扩展——用作低功耗开关,减轻MCU负载,避免外置偏置电阻设计; ✅ 便携式电子设备中的信号切换与状态指示——如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点中的电源管理、LED背光控制或按键检测电路; ✅ 工业控制板卡中的隔离式输入缓冲——配合光耦或开关信号,提供稳定、抗干扰的电平整形功能; ✅ 消费类电子产品(如遥控器、充电器、家电控制板)中替代传统分立BJT+电阻方案,节省PCB面积、降低BOM成本与贴片工时。 该器件采用SOT-323超小型封装,支持无铅回流焊,具备高可靠性及宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C),适用于空间受限、对一致性与量产性要求高的中低功率开关场景(IC ≤ 100 mA,VCEO = 50 V)。不适用于线性放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC124EU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC124EU,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-8095-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC124EU T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |