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  • 型号: PDTC124EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTC124EU,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC124EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC124EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC124EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC124EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC124EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC124EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管(Digital Transistor),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)单管。其内部集成基极-发射极间上拉电阻(R1=22 kΩ)和基极-集电极间下拉电阻(R2=22 kΩ),实现“1个电阻+1个晶体管”的简化驱动功能。

典型应用场景包括:  
✅ 逻辑电平转换与接口驱动——兼容 3.3V/5V TTL/CMOS 输出,直接驱动LED、继电器线圈、小型蜂鸣器或MOSFET栅极;  
✅ 微控制器(MCU)I/O口扩展——用作低功耗开关,减轻MCU负载,避免外置偏置电阻设计;  
✅ 便携式电子设备中的信号切换与状态指示——如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点中的电源管理、LED背光控制或按键检测电路;  
✅ 工业控制板卡中的隔离式输入缓冲——配合光耦或开关信号,提供稳定、抗干扰的电平整形功能;  
✅ 消费类电子产品(如遥控器、充电器、家电控制板)中替代传统分立BJT+电阻方案,节省PCB面积、降低BOM成本与贴片工时。

该器件采用SOT-323超小型封装,支持无铅回流焊,具备高可靠性及宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C),适用于空间受限、对一致性与量产性要求高的中低功率开关场景(IC ≤ 100 mA,VCEO = 50 V)。不适用于线性放大或高频射频应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC124EU,115-

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产品型号

PDTC124EU,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-8095-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

22 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC124EU T/R

频率-跃迁

230MHz

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