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Datasheet下载- 型号： RN1109(T5L,F,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1109(T5L,F,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1109(T5L,F,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1109(T5L,F,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1109(T5L,F,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1109(T5L,F,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为RN1109(T5L,F,T)、品牌为Toshiba Semiconductor and Storage的预偏置双极晶体管（BJT），主要应用于需要高效、稳定信号处理和开关控制的小型电子设备中。其典型应用场景包括： 1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，用于电源管理、信号放大及逻辑开关控制，因其集成预偏置电阻，可简化电路设计并减少外围元件数量。 2. 汽车电子系统：适用于车载控制模块（如ECU）、传感器接口电路以及LED照明驱动，能够在较宽温度范围内稳定工作，满足车用可靠性要求。 3. 工业自动化设备：用于PLC、继电器驱动、电机控制及各类传感器信号调理电路中，提供稳定的开关与放大功能。 4. 通信设备：适用于路由器、交换机及基站中的低频信号切换与功率控制，具备良好的高频响应特性。 该晶体管因集成度高、封装小巧、功耗低且易于使用，广泛适用于便携式设备和高密度电路板设计中，有助于提升整体系统效率与稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN SSM |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RN1109(T5L,F,T) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SSM |
| 其它名称 | RN1109(T5LFT)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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