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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA115EM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA115EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTA115EM3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA115EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA115EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的DTA115EM3T5G是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于NPN型,内置基极-发射极电阻,简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制;LED驱动电路中作为开关元件,实现高效通断控制;在电源管理模块中用于电平转换或小电流负载开关;还可用于各类小型家电、工业控制板及传感器接口电路中,实现低功耗、高可靠性的开关功能。 由于其内置偏置电阻,无需外接偏置网络,减少了外围元件数量,节省PCB空间,特别适合高密度贴装和小型化设计需求。同时,该器件采用SOT-23封装,体积小,便于自动化生产,具备良好的热稳定性和电气性能。 DTA115EM3T5G工作电压适中,电流增益稳定,响应速度快,适用于高频开关场合。其绿色环保设计符合RoHS标准,无卤素,满足现代电子产品环保要求。总体而言,该型号适用于对空间、功耗和可靠性有较高要求的中低端功率开关与放大应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTA115EM3T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA115EM3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-723 |
| 其它名称 | DTA115EM3T5GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 功率耗散 | 260 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80, 150 |
| 系列 | DTA115EM3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |