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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC115EM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC115EM3T5G价格参考。ON SemiconductorDTC115EM3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC115EM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC115EM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DTC115EM3T5G的晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT)。该器件集成了内置基极-发射极电阻,简化了电路设计,常用于需要高稳定性和高效率的数字开关应用。 该晶体管的主要应用场景包括: 1. 数字开关电路:由于其内置偏置电阻,DTC115EM3T5G非常适合用于逻辑控制的开关电路,如微控制器输出驱动、继电器或LED驱动。 2. 电源管理电路:在电池供电设备中,该晶体管可用于电源开关或负载切换,提高系统效率并减少外围元件数量。 3. 汽车电子系统:该器件符合AEC-Q101汽车级标准,适用于汽车中的控制模块、灯光系统或传感器驱动电路。 4. 消费类电子产品:如手机、平板、智能家电等设备中,用于信号切换或小型负载控制。 5. 工业控制设备:如PLC、传感器接口和继电器驱动电路中,实现信号隔离和功率控制。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计。其预偏置特性降低了设计复杂度,提高了生产一致性,是中低功率开关应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTC115EM3T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC115EM3T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-723 |
其它名称 | DTC115EM3T5GOSCT |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 100 kOhms |
功率-最大值 | 260mW |
功率耗散 | 260 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-723 |
封装/箱体 | SOT-723-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80, 150 |
系列 | DTC115EM3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |