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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3104RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3104RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3104RMTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJV3104RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3104RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FJV3104RMTF是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),属于单NPN型结构,内置偏置电阻,简化电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和中低功率开关电路中。 典型应用场景包括:智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换与逻辑控制;LCD背光驱动、LED开关控制;电源管理模块中的小电流开关;以及各类消费类电子产品中的接口电平转换和驱动电路。由于其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,节省PCB空间,提高可靠性,特别适合高密度贴装的便携设备。 此外,FJV3104RMTF采用小型SMT封装(如SOT-563),便于自动化生产,具有良好的热稳定性和快速开关响应,适用于高频开关操作。工作温度范围宽(通常为-55°C至+150°C),可在严苛环境中稳定运行,适用于工业控制、家电控制板等辅助信号处理场景。 总之,FJV3104RMTF凭借其集成化设计、小型化封装和高可靠性,主要服务于消费电子、通信设备及工业控制领域中的低功耗、高密度电路设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/47K 47K |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV3104RMTF- |
数据手册 | |
产品型号 | FJV3104RMTF |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | FJV3104RMTFDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 47 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
系列 | FJV3104R |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
零件号别名 | FJV3104RMTF_NL |
频率-跃迁 | 250MHz |