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产品简介:
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SMMUN2238LT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字开关电路中,作为负载开关或信号开关使用,广泛用于电源管理、LED驱动等场景。 2. 放大电路:在低频小信号放大应用中表现良好,例如音频放大器的前置放大级。 3. 接口电路:用于微控制器或数字电路与外部设备之间的电平转换和驱动接口。 4. 传感器驱动:适用于各类传感器的信号调理电路,提供稳定的放大或开关控制。 5. 消费类电子产品:如手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源控制和信号处理部分。 6. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器驱动、马达控制和信号放大。 该晶体管具有小型封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,且具备良好的温度稳定性,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS BRT NPN 50V SOT-23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMMUN2238LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 246mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
频率-跃迁 | - |