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  • 型号: SMMUN2238LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2238LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2238LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2238LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMMUN2238LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMUN2238LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMMUN2238LT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。该器件内部集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。

 主要应用场景包括:

1. 开关电路:适用于数字开关电路中,作为负载开关或信号开关使用,广泛用于电源管理、LED驱动等场景。

2. 放大电路:在低频小信号放大应用中表现良好,例如音频放大器的前置放大级。

3. 接口电路:用于微控制器或数字电路与外部设备之间的电平转换和驱动接口。

4. 传感器驱动:适用于各类传感器的信号调理电路,提供稳定的放大或开关控制。

5. 消费类电子产品:如手机、平板电脑、智能穿戴设备中的电源控制和信号处理部分。

6. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器驱动、马达控制和信号放大。

该晶体管具有小型封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,且具备良好的温度稳定性,适用于多种中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS BRT NPN 50V SOT-23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SMMUN2238LT1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 5mA,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

246mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

频率-跃迁

-

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