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  • 型号: MUN5132T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5132T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5132T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5132T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5132T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5132T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5132T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单晶体管器件。该器件集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,常用于开关和逻辑控制电路中。

典型应用场景包括:

1. 数字开关电路:MUN5132T1G 适用于各种数字控制的开关应用,如微控制器驱动负载(LED、继电器、小型电机等)的接口电路,其内置偏置电阻可减少外围元件数量,提高可靠性。

2. 逻辑电平转换:在不同电压电平的逻辑电路之间进行信号转换时,该晶体管可作为电平转换器,实现信号的隔离与放大。

3. 继电器驱动电路:在自动控制或工业设备中,用于驱动继电器线圈,实现高电压或高电流负载的控制。

4. 电源管理电路:可用于低功耗电源开关、负载切换等应用,特别是在便携式电子产品中,有助于提升能效和减小电路复杂度。

5. 消费类电子产品:如手机、平板、智能家电等设备中的小信号开关控制。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,具备良好的稳定性和可靠性,广泛应用于通信、工业控制、消费电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5132T1G-

数据手册

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产品型号

MUN5132T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 5mA,10V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-70-3(SOT323)

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

202mW

功率耗散

202 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

15

系列

MUN5132

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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