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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD743XMT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD743XMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTD743XMT2L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTD743XMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTD743XMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTD743XMT2L是一款预偏置双极晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管,适用于多种小型信号开关与放大场景。该器件常用于便携式电子设备和高密度电路设计中,典型应用场景包括:手机、平板电脑、可穿戴设备中的逻辑电平转换、LED驱动控制、电源管理开关以及小信号放大电路。由于其内置偏置电阻,简化了外部电路设计,减少了元件数量,提高了系统可靠性,特别适合空间受限的高集成度应用。此外,DTD743XMT2L还广泛用于各类消费类电子产品中的接口电路、传感器信号开关及微控制器驱动电路,具备良好的开关响应速度和稳定性,可在较宽温度范围内稳定工作,满足工业与消费级应用需求。其小型化封装(如SMT2L)便于自动化贴装,适用于大规模生产。总之,该型号凭借集成化设计和高可靠性,成为现代电子设备中理想的开关元件选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DTD743XMT2L |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
供应商器件封装 | VMT3 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
频率-跃迁 | 260MHz |