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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD123TT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD123TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTD123TT,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTD123TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTD123TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTD123TT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(内置基极-发射极电阻的 NPN 型 BJT),常用于简化开关电路设计。其典型应用场景包括: - 逻辑电平接口转换:将微控制器(如 GPIO 3.3V/5V)输出直接驱动负载,无需外置限流电阻,降低 PCB 面积与BOM成本; - LED 驱动电路:广泛用于消费电子、家电面板、指示灯等中小电流(≤100mA)LED 开关控制; - 继电器/小型电磁阀驱动:作为缓冲开关,隔离低压控制侧与高压负载侧,提升系统可靠性; - 电源管理中的使能(EN)信号控制:用于 DC-DC 转换器或 LDO 的启停控制; - 电池供电设备的低功耗待机控制:得益于其高直流电流增益(hFE ≈ 100 @ Ic = 10mA)和内置 2.2kΩ R1 与 10kΩ R2(R1/R2 分压反馈),可实现稳定饱和导通,降低驱动电流需求(典型 IB ≈ 0.3mA 即可饱和),延长电池寿命。 该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具备优良的热稳定性与一致性,适用于空间受限、成本敏感且需高可靠性的工业控制、IoT终端、便携设备及汽车电子(非安全关键子系统)等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTD123TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTD123TT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 50mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934059728215 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTD123TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |