Datasheet下载- 型号： PDTB123TT,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTB123TT,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTB123TT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTB123TT,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTB123TT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTB123TT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTB123TT,215 是一款 预偏置双极性晶体管（BJT），主要用于 数字开关和逻辑控制电路 中。该器件集成了基极电阻，简化了电路设计，降低了外部元件需求，适用于中低功率的开关应用。 主要应用场景包括： 1. 数字开关电路 用于将微控制器或逻辑电路的输出信号放大，以驱动负载如LED、继电器或小型电机。 2. 逻辑电平转换 在不同电压电平之间进行信号转换，适用于数字系统间的接口电路。 3. 电源管理电路 在电池供电设备中用于控制电源通断，提高系统效率。 4. 汽车电子系统 如车载控制模块、传感器驱动电路、车灯控制等，因其具备良好的稳定性和可靠性。 5. 消费类电子产品 应用于手机、充电器、智能家电等产品中的信号开关和电源控制部分。 该晶体管具有封装小巧、功耗低、响应速度快等优点，适合高密度PCB布局和批量生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 500 MA RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTB123TT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTB123TT,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934059729215 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTB123TT T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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