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DTC114TUAT106产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC114TUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC114TUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC114TUAT106是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号适用于多种电子电路设计,特别是在需要精确控制电流和电压的应用场景中。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大:DTC114TUAT106可以用于音频设备、传感器信号处理等领域,实现对微弱信号的有效放大。其预偏置特性有助于稳定工作点,减少失真。 2. 开关电路:在数字电路或电源管理模块中,该晶体管可用作开关元件,控制负载的通断。其快速响应能力和稳定的偏置设置使其适合高频开关应用。 3. 电源管理:在低压差线性稳压器(LDO)或其他电源转换电路中,DTC114TUAT106能够提供高效的电流调节功能,确保输出电压的稳定性。 4. 电机驱动:小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该晶体管可用于控制电机的启动、停止及速度调节,支持平稳运行。 5. 保护电路:在过流保护、短路保护等安全电路设计中,DTC114TUAT106可通过检测异常电流并及时切断电路来保护其他元器件。 6. 通信设备:在射频(RF)前端模块中,该晶体管可能被用作低噪声放大器的一部分,提升信号接收灵敏度。 总之,DTC114TUAT106凭借其优异的电气性能和可靠性,在消费电子、工业自动化、通信系统等多个领域都有广泛的应用潜力。选择合适的外围电路配合使用,可以充分发挥其优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114TUAT106- |
数据手册 | |
产品型号 | DTC114TUAT106 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors |
供应商器件封装 | UMT3 |
其它名称 | DTC114TUAT106DKR |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 200 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 100 mA |
频率-跃迁 | 250MHz |