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  • 型号: DTC114TUAT106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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DTC114TUAT106产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114TUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114TUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC114TUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC114TUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114TUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC114TUAT106是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号适用于多种电子电路设计,特别是在需要精确控制电流和电压的应用场景中。以下是其主要应用场景:

1. 信号放大:DTC114TUAT106可以用于音频设备、传感器信号处理等领域,实现对微弱信号的有效放大。其预偏置特性有助于稳定工作点,减少失真。

2. 开关电路:在数字电路或电源管理模块中,该晶体管可用作开关元件,控制负载的通断。其快速响应能力和稳定的偏置设置使其适合高频开关应用。

3. 电源管理:在低压差线性稳压器(LDO)或其他电源转换电路中,DTC114TUAT106能够提供高效的电流调节功能,确保输出电压的稳定性。

4. 电机驱动:小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该晶体管可用于控制电机的启动、停止及速度调节,支持平稳运行。

5. 保护电路:在过流保护、短路保护等安全电路设计中,DTC114TUAT106可通过检测异常电流并及时切断电路来保护其他元器件。

6. 通信设备:在射频(RF)前端模块中,该晶体管可能被用作低噪声放大器的一部分,提升信号接收灵敏度。

总之,DTC114TUAT106凭借其优异的电气性能和可靠性,在消费电子、工业自动化、通信系统等多个领域都有广泛的应用潜力。选择合适的外围电路配合使用,可以充分发挥其优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114TUAT106-

数据手册

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产品型号

DTC114TUAT106

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

Transistors

供应商器件封装

UMT3

其它名称

DTC114TUAT106DKR

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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