Datasheet下载- 型号： MUN2211T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2211T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2211T3G价格参考。ON SemiconductorMUN2211T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2211T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2211T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2211T3G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单管配置。该器件内部集成了基极偏置电阻，简化了外围电路设计，广泛应用于各类电子设备中。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关控制，如逻辑电平转换、继电器或LED驱动等，因其集成偏置电阻可减少元件数量，提高可靠性。 2. 放大电路：可用于音频信号或小功率模拟信号的放大，适合低频和中频应用，提供稳定的增益性能。 3. 电源管理：在DC-DC转换器、负载开关或电压调节模块中作为控制元件，实现对电流流向和大小的精确控制。 4. 工业自动化与传感器接口：用于传感器信号调理、继电器驱动或执行器控制，适应工业环境下的稳定运行需求。 5. 消费类电子产品：如家电、智能穿戴设备中，用于电机驱动、指示灯控制、按键扫描等场景，具备良好的性价比和封装兼容性。 MUN2211T3G采用SOT-23小外形封装，便于表面贴装，适合高密度PCB布局，具有较好的热稳定性和抗干扰能力，适合批量生产和广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2211T3G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2211T3GOSCT |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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