ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC143EM,315
Datasheet下载- 型号： PDTC143EM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143EM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC143EM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC143EM,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3。您可以下载PDTC143EM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC143EM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC143EM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）类别。其内部集成基极-发射极间 10 kΩ 上拉电阻与基极-集电极间 4.7 kΩ 反馈电阻（R1=10 kΩ，R2=4.7 kΩ），支持直接由低压逻辑信号（如 3.3 V 或 5 V MCU GPIO）驱动，无需外接偏置电阻。 典型应用场景包括： 🔹 微控制器I/O口驱动扩展：用于驱动LED指示灯、小型蜂鸣器、继电器线圈或低功耗电磁阀等中低电流负载（IC max = 100 mA，hFE ≈ 160 @ IC = 10 mA）。 🔹 电平转换与信号开关：在3.3 V系统与5 V外围电路之间实现简易单向电平切换或使能控制。 🔹 电源管理模块中的使能开关：如控制LDO或DC-DC转换器的EN引脚，实现低功耗待机/唤醒功能。 🔹 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于打印机、POS终端、家电控制板、传感器接口电路等空间受限、需简化BOM的设计中。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，具备高可靠性、宽工作温度范围（−65 °C 至 +150 °C）及AEC-Q101认证（适用于汽车级应用），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全相关信号开关场景。其预偏置结构显著降低PCB面积与设计复杂度，提升量产一致性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC143EM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2160-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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