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Datasheet下载- 型号： DTC114GUAT106
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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DTC114GUAT106产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114GUAT106由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114GUAT106价格参考。ROHM SemiconductorDTC114GUAT106封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC114GUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTC114GUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC114GUAT106是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN型，适用于低电压、低电流的开关与放大应用。其主要应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路。 典型应用包括LED驱动电路、逻辑电平转换、小型继电器或蜂鸣器驱动、电源管理开关以及微控制器I/O扩展等。由于内置偏置电阻，无需外接基极电阻，减少了元件数量，节省PCB空间，特别适合高密度贴装的便携设备，如智能手机、可穿戴设备和无线耳机等。 此外，DTC114GUAT106采用超小型表面贴装封装（如SOT-23），便于自动化生产，具有良好的热稳定性和可靠性。其工作电压和电流适中，适合电池供电系统，有助于降低功耗，延长设备续航时间。 综上，该型号广泛用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子控制系统中，是现代电子产品中理想的开关元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | DTC114GUAT106 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | DTC114GUAT106CT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
