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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5135T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5135T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5135T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5135T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5135T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5135T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。它集成了基极偏置电阻,简化了电路设计,广泛用于开关和放大电路中。 该器件主要应用于以下场景: 1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关等,用于控制电源通断或调节输出电压。 2. 数字开关电路:在数字系统中作为驱动器或电平转换器使用,控制LED、继电器、小型电机等负载。 3. 传感器接口电路:用于放大传感器信号或作为开关控制,例如在温度、光强等传感系统中。 4. 通信设备:在低频通信模块中作为信号放大器或开关元件。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板、家电控制板等,用于低功耗、小尺寸要求的场合。 该晶体管具有集成偏置电阻、封装小巧(SOT-23)、工作温度范围宽等优点,适合高密度PCB布局和自动化装配,广泛应用于中低功率的通用模拟和数字电路设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5135T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5135T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | MUN5135T1G-ND |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 功率耗散 | 202 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MUN5135 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |