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  • 型号: PDTC114EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTC114EU,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EU,115价格参考¥0.48-¥0.49。NXP SemiconductorsPDTC114EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-70。您可以下载PDTC114EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC114EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R₁=10 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R₂=10 kΩ),采用 SOT-323(SC-70)小型封装。其典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)I/O口驱动LED、小功率继电器或蜂鸣器,无需外置偏置电阻,简化PCB设计;  
2. 开关应用:在低功耗便携设备(如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中作为高速开关,实现负载的通断控制(典型开关频率达100 MHz);  
3. 信号调理与反相器电路:利用其内置电阻网络构成施密特触发式反相器或电平整形电路,提升抗干扰能力;  
4. 电源管理辅助功能:用于电池供电设备中的使能控制(EN/Disable)、LDO或DC-DC转换器的使能信号缓冲;  
5. 工业与消费类电子:适用于家电控制板、LED照明驱动、USB外设状态指示等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。  
该器件具有高直流电流增益(hFE = 30–200 @ Ic = 10 mA)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.1 V @ Ic = 10 mA)、ESD防护(HBM > 2 kV),支持无铅回流焊工艺,符合RoHS标准。其预偏置结构显著降低外围元件数量,提高生产良率与系统稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114EU,115-

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产品型号

PDTC114EU,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-6430-1

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC114EU T/R

频率-跃迁

-

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