Datasheet下载- 型号： PDTA143ZEF,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143ZEF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143ZEF,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143ZEF,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA143ZEF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA143ZEF,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA143ZEF,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频（RF）放大器设计中，适用于以下典型场景： 1. 射频功率放大器 - PDTA143ZEF,115 专为射频功率放大设计，适合工作在高频段（如 VHF 和 UHF 频段）。它可用于通信设备中的功率放大模块，例如对讲机、无线基站和广播系统。 - 其预偏置特性简化了电路设计，能够快速实现稳定的放大性能。 2. 工业与科学应用 - 在工业加热设备（如感应加热或等离子体生成）中，该晶体管可作为射频功率输出级的核心元件。 - 也可用于科学仪器中的信号放大，例如医疗成像设备或测试测量装置。 3. 业余无线电 - 业余无线电爱好者可以使用此晶体管构建自制的射频发射机或线性放大器，用于增强信号传输距离。 4. 汽车电子 - 在某些车载通信系统中，该晶体管可用于射频信号放大，支持车辆间的无线通信或远程信息处理功能。 5. 广播电视 - 广播电视发射机中需要高功率射频放大器，PDTA143ZEF,115 可作为关键组件之一，提供稳定且高效的功率输出。 特性优势： - 高功率处理能力：适合需要大功率输出的应用。 - 宽频率范围：支持多种射频应用需求。 - 预偏置设计：减少外部偏置电路复杂度，提高可靠性。 - 高增益性能：确保信号放大的效率和质量。 总之，PDTA143ZEF,115 是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于需要高效功率放大的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143ZEF,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-89 |
| 其它名称 | 568-2131-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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