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- 型号： SMUN5114T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5114T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5114T3G价格参考。ON SemiconductorSMUN5114T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5114T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5114T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMUN5114T3G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于NPN结构，采用SOT-23封装，具有体积小、可靠性高的特点，广泛应用于便携式电子设备和高密度PCB布局场景。 典型应用场景包括：开关电路，如LED驱动、继电器或负载开关控制；信号放大电路，在低频小信号处理中实现电流增益；逻辑电平转换，用于微控制器与外围器件之间的接口匹配；以及各类消费类电子产品中的电源管理与控制模块，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等。 由于其内置偏置电阻，SMUN5114T3G无需外接基极电阻，减少了元件数量，提高了系统稳定性，特别适用于空间受限和要求快速响应的场合。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造。 综上，SMUN5114T3G凭借其集成化设计、高可靠性和紧凑封装，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备及便携式电源管理等领域，是中小功率开关与信号控制应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMUN5114T3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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