Datasheet下载- 型号： NSVMUN5131T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMUN5131T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMUN5131T1G价格参考。ON SemiconductorNSVMUN5131T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVMUN5131T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMUN5131T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSVMUN5131T1G是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化了电路设计。该器件属于晶体管-双极（BJT）-单，预偏置类别，适用于需要紧凑、高可靠性和低功耗控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电路：广泛用于便携式电子设备中的LED驱动、继电器或小功率负载的开关控制，因其集成电阻可减少外围元件数量，提高系统可靠性。 2. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压逻辑信号之间的转换，例如将微控制器的低电压信号控制较高电压的负载。 3. 电源管理：用于电池供电设备中的电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于降低待机功耗。 4. 消费类电子产品：应用于家电控制板、遥控器、传感器接口等，提升电路集成度并节省PCB空间。 5. 工业与汽车电子：适合对稳定性和温度范围要求较高的环境，如车载信息娱乐系统、车身控制模块等。 NSVMUN5131T1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于高密度布局，同时具备良好的热稳定性和电气性能。其内置串联基极电阻和下拉电阻，避免了外部偏置网络的设计复杂性，显著缩短开发周期，特别适合追求小型化和高效率的现代电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 50V SC70 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSVMUN5131T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSVMUN5131T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商