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  • 型号: MUN5141T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5141T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5141T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5141T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5141T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5141T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5141T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管,采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、外围元件少的优点。该器件广泛应用于各类低功耗、高集成度的电子系统中。

典型应用场景包括:  
1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,可直接通过逻辑电平驱动,常用于微控制器与负载之间的接口开关,如LED驱动、继电器控制和小型电机启停。  
2. 信号放大与转换:适用于小信号放大或电平转换电路,尤其在便携式设备中实现低电压信号的处理。  
3. 消费类电子产品:广泛用于智能手机、平板电脑、智能家居设备中的电源管理与信号控制模块。  
4. 工业控制与传感器接口:作为传感器输出信号的缓冲或驱动级,提升系统响应速度与稳定性。  
5. 电源管理电路:在DC-DC转换器或LDO使能控制中用作通断开关,简化电路设计。

MUN5141T1G因集成电阻减少了外部元件数量,提高了电路可靠性并节省PCB空间,特别适合高密度贴装和自动化生产。其工作温度范围宽(-55°C至+150°C),可在严苛环境中稳定运行,是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 202MW

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MUN5141T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 5mA,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

202mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

频率-跃迁

-

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