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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5141T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5141T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5141T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN5141T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN5141T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5141T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻的NPN型晶体管,采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、外围元件少的优点。该器件广泛应用于各类低功耗、高集成度的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,可直接通过逻辑电平驱动,常用于微控制器与负载之间的接口开关,如LED驱动、继电器控制和小型电机启停。 2. 信号放大与转换:适用于小信号放大或电平转换电路,尤其在便携式设备中实现低电压信号的处理。 3. 消费类电子产品:广泛用于智能手机、平板电脑、智能家居设备中的电源管理与信号控制模块。 4. 工业控制与传感器接口:作为传感器输出信号的缓冲或驱动级,提升系统响应速度与稳定性。 5. 电源管理电路:在DC-DC转换器或LDO使能控制中用作通断开关,简化电路设计。 MUN5141T1G因集成电阻减少了外部元件数量,提高了电路可靠性并节省PCB空间,特别适合高密度贴装和自动化生产。其工作温度范围宽(-55°C至+150°C),可在严苛环境中稳定运行,是现代电子设计中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MUN5141T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |