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  • 型号: MUN2233T1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2233T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2233T1价格参考。ON SemiconductorMUN2233T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2233T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2233T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2233T1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),主要用于需要简单、高效开关控制的电路中。该器件集成了内部偏置电阻,简化了电路设计,降低了外部元件需求,提高了系统可靠性。

典型应用场景包括:

1. 逻辑电路与数字开关:  
   适用于将数字信号转换为较高电流或电压负载的控制,如微控制器与继电器、LED或小型电机之间的接口。

2. 电源管理与DC-DC转换器:  
   在电源开关电路中作为驱动晶体管使用,帮助实现高效的能量转换。

3. 汽车电子系统:  
   用于汽车中的小型电机控制、灯光控制、传感器信号调理等,因其集成电阻设计提高了抗噪能力,适合车载环境。

4. 消费类电子产品:  
   如打印机、扫描仪、家电控制模块中,用于驱动继电器、风扇、LED背光等负载。

5. 工业自动化与控制设备:  
   在PLC模块、传感器接口、执行器控制中广泛使用,提升系统集成度与稳定性。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和耐用性,是中低功率开关应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MUN2233T1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-59

功率-最大值

338mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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