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产品简介:
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FJV3113RMTF 是由 ON Semiconductor(安森美)生产的一款预偏置双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号适用于多种电子电路设计,以下是其主要应用场景: 1. 开关电路: FJV3113RMTF 可用作高效的开关元件,在数字电路中实现信号的通断控制。由于其预偏置特性,能够简化电路设计并提高开关速度。 2. 放大电路: 作为一款 BJT,FJV3113RMTF 能够用于音频、射频或其他信号的放大应用。其预偏置功能有助于稳定工作点,减少失真,适合低噪声放大器设计。 3. 电源管理: 在线性稳压器或 DC-DC 转换器中,该晶体管可用作功率输出级,帮助调节电压和电流输出。其高可靠性使其在便携式设备和工业电源中表现优异。 4. 电机驱动与控制: 该型号可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,通过控制电流来调节电机转速和方向。 5. 传感器信号调理: 在工业自动化和物联网领域,FJV3113RMTF 可用于处理来自传感器的微弱信号,进行必要的放大和转换,以适配后续处理单元。 6. 通信设备: 在低功率射频模块中,这款晶体管可以作为信号放大或调制解调的核心组件,满足无线通信的需求。 7. 消费电子产品: 包括音响设备、家用电器等需要简单而可靠的信号处理或功率控制的应用场景。 总结来说,FJV3113RMTF 凭借其预偏置特性和高性能参数,广泛应用于各种需要精确控制和高效放大的场合,尤其适合对成本敏感且要求可靠性的设计项目。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/2.2K 47K |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV3113RMTF- |
数据手册 | |
产品型号 | FJV3113RMTF |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | FJV3113RMTFDKR |
典型电阻器比率 | 0.047 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 200mW |
功率耗散 | 0.2 W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 68 |
系列 | FJV3113R |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | 250MHz |