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  • 型号: SMUN2216T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN2216T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN2216T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN2216T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMUN2216T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMUN2216T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMUN2216T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于单管结构。它集成了内置基极偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。

该器件主要适用于以下应用场景:

1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,SMUN2216T1G 可直接用于数字开关控制电路,如逻辑电平转换、继电器或LED驱动等。

2. 放大电路:适用于低频信号放大应用,如音频放大器前级或传感器信号调理电路。

3. 电源管理:常用于电源开关、负载开关或电池供电设备中的功率控制部分。

4. 工业控制:如PLC模块、工业自动化设备中的信号控制与处理。

5. 消费类电子产品:用于手机、平板、智能家电等设备中的小型电机驱动或LED背光控制。

6. 汽车电子:因其高可靠性,也广泛应用于汽车控制系统,如车灯控制、传感器接口等。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB布局。其预偏置设计减少了外围元件数量,降低了设计复杂度,适用于对空间和成本敏感的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SMUN2216T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

160 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SC-59

功率-最大值

230mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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