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  • 型号: PDTC143ET,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTC143ET,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC143ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC143ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC143ET,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC143ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC143ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC143ET,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R₁=4.7 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R₂=47 kΩ),具备“1-in-1”集成偏置功能,无需外接偏置电阻,简化电路设计。

典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑电平转换与驱动:常用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)GPIO口的负载驱动,将3.3V/5V TTL/CMOS信号转换为足够电流驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极。  
✅ LED指示灯控制:因其低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA)和稳定开关特性,广泛用于消费电子、家电面板的LED开关控制。  
✅ 板级信号开关与接口保护:在I²C、UART等总线中作电平缓冲或开漏输出增强;配合上拉电阻实现可靠的高边/低边开关。  
✅ 低成本嵌入式系统:适用于打印机、机顶盒、智能电表、白色家电等对成本、尺寸和可靠性敏感的工业与消费类设备。

该器件采用SOT-23小体积封装,支持无铅回流焊,工作结温范围-65°C至+150°C,具备良好ESD防护(HBM >8 kV),适合高密度PCB布局。其预偏置结构显著提升开关一致性,降低因外部电阻公差导致的批量不良风险。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC143ET,215-

数据手册

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产品型号

PDTC143ET,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6434-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC143ET T/R

频率-跃迁

-

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