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  • 型号: PDTA143TE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143TE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143TE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143TE,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA143TE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA143TE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 的 PDTA143TE,115 是一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于表面贴装型SOT-23封装,适用于空间受限的高密度电子设备。

其主要应用场景包括:  
1. 开关电路:由于内置偏置电阻,PDTA143TE,115 可直接通过逻辑电平信号驱动,广泛用于手机、平板、智能家居等消费电子产品中的小功率开关控制,如LED指示灯驱动、继电器或蜂鸣器控制。  
2. 信号放大:在低频模拟信号处理中作为前置放大器使用,适用于传感器信号调理和音频小信号放大。  
3. 电源管理:在便携式设备中用于负载开关或电源通断控制,提升能效。  
4. 接口电路:实现微控制器与外围设备之间的电平转换与隔离,提高系统稳定性。  

该型号具备高可靠性、快速开关响应和低功耗特性,适合工业控制、汽车电子(如车内照明控制)、通信模块及各类嵌入式系统。其预偏置设计减少了外部元件数量,降低了PCB面积和生产成本,是现代小型化电子产品的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PDTA143TE,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1mA,5V

产品目录绘图

供应商器件封装

SC-75

其它名称

568-2127-1

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75,SOT-416

晶体管类型

PNP - 预偏压

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

频率-跃迁

-

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