Datasheet下载- 型号： PDTA124XM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124XM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124XM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124XM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124XM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124XM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124XM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 PNP 型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）类别。其内部集成基极-发射极间上拉电阻（R1=220 kΩ）和基极-集电极间下拉电阻（R2=47 kΩ），简化外围电路设计，提高可靠性与空间利用率。 典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平转换与信号开关：在微控制器（如MCU、GPIO）驱动中小功率负载（LED、继电器线圈、小型蜂鸣器）时，实现5V/3.3V TTL/CMOS电平到负载回路的可靠开关控制； ✅ 数字输入接口保护：作为输入缓冲或电平整形器件，抑制噪声、防止过压，常用于工业I/O模块、家电控制板； ✅ 电池供电设备中的低功耗开关：得益于其高直流电流增益（hFE≈100@IC=10mA）和低饱和电压（VCE(sat)≤0.1V），适用于便携式设备（如遥控器、传感器节点）中对能效敏感的开关应用； ✅ 替代传统分立BJT+偏置电阻方案：在空间受限的PCB设计中（如手机周边配件、智能穿戴设备主板），显著减少元件数量与贴装成本。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，支持无铅回流焊，符合AEC-Q100汽车级可靠性标准（部分批次），亦广泛用于消费电子、工业控制及汽车电子辅助电路中。注意：不适用于高频放大或大电流（>100mA）连续导通场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124XM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2124-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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