Datasheet下载- 型号： MUN5235T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5235T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5235T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5235T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5235T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5235T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MUN5235T1G是一款预偏置的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它具有特定的应用场景，主要适用于需要精确电流控制和高稳定性的电路设计中。以下是其典型应用场景： 1. 信号放大 - MUN5235T1G可以用于音频、射频或其他信号的放大电路中。由于其预偏置特性，能够简化设计并提高放大器的稳定性。 - 应用于低噪声前置放大器或驱动级放大器。 2. 开关电路 - 在需要快速开关的场景中，这款晶体管可用于设计高效的开关电路，例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制。 - 预偏置功能使其更容易实现稳定的导通和关断状态。 3. 电源管理 - 可用于线性稳压器或恒流源的设计中，提供精确的电流输出。 - 在电池充电电路中，作为电流调节元件使用。 4. 传感器接口 - 适用于将微弱的传感器信号进行放大的场合，例如光电二极管、温度传感器或压力传感器的信号调理电路。 - 其高增益和低噪声性能有助于提高传感器系统的灵敏度。 5. 通信设备 - 在通信领域，MUN5235T1G可用于射频（RF）前端模块中的小信号放大或混频器电路。 - 适合于对频率响应和线性度要求较高的应用。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可作为隔离放大器或驱动器的一部分，用于控制执行机构（如电磁阀、步进电机等）。 - 预偏置特性使其在复杂环境中仍能保持可靠的性能。 总结 MUN5235T1G凭借其预偏置设计和高性能参数，非常适合用于需要高精度、高稳定性和低功耗的电子电路中。无论是消费电子、工业控制还是通信设备，这款晶体管都能提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5235T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5235T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5235T1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 功率耗散 | 202 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MUN5235 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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