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  • 型号: PDTC144EU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC144EU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC144EU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC144EU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载PDTC144EU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC144EU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC144EU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻(R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),采用 SOT-323(SC-70)小型封装。其典型应用场景包括:  
- 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如 ARM、AVR、PIC)GPIO 引脚与外部负载(LED、继电器、小功率MOSFET栅极)之间的信号缓冲与开关控制;  
- 低压低功耗开关电路:适用于便携式设备(如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中对空间和功耗敏感的场合,支持1.8V–5.5V逻辑兼容输入;  
- LED 驱动与状态指示:内置偏置电阻简化外围设计,可直接由MCU输出驱动单颗或多颗串联LED(限流需外接);  
- 总线/信号线路的电平整形与反相开关:利用其饱和导通特性实现信号反相或使能控制;  
- 替代传统分立偏置BJT方案:显著减少PCB面积与元件数量,提升生产良率与可靠性。  

该器件具备高直流电流增益(hFE ≥ 60 @ Ic = 10 mA)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.1 V @ Ic = 10 mA)及ESD防护能力(HBM > 4 kV),适用于工业控制、消费电子及汽车电子(非安全关键系统)等中低功率开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC144EU,115-

数据手册

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产品型号

PDTC144EU,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-6439-6

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

47 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC144EU T/R

频率-跃迁

-

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