Datasheet下载- 型号： RN1427TE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1427TE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1427TE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1427TE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1427TE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1427TE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为RN1427TE85LF的晶体管，属于双极型晶体管（BJT）- 单一预偏置类型。这类器件主要应用于需要高效开关和信号放大的场景中。以下是其可能的应用领域及场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器：该晶体管可用于开关电源中的驱动电路或保护电路，提供稳定的电流控制。 - 线性稳压器：作为功率放大元件，帮助调节输出电压以满足负载需求。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，该晶体管可以用于驱动低功率电机，例如风扇、泵或玩具电机等。 - 提供精确的电流控制，确保电机运行平稳。 3. 音频信号放大 - 用于低功率音频放大器中，放大音频信号并驱动扬声器或其他音频设备。 - 预偏置设计有助于减少失真，提升音质表现。 4. 信号切换与控制 - 在工业自动化控制系统中，用于信号的开关或隔离，实现对传感器、继电器等设备的控制。 - 可用于逻辑电平转换，将低电压信号转换为高电压信号。 5. 通信设备 - 在低频通信电路中，用于信号调制、解调或放大。 - 应用于无线遥控、数据传输模块等场景。 6. 消费电子 - 在家用电器中，如遥控器、LED驱动电路、照明控制等，提供高效的电流控制功能。 - 用于保护电路，防止过流或短路对设备造成损害。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中，用于控制指示灯、报警器或其他低功耗设备。 - 具备一定的耐高温性能，适合在汽车环境中使用。 RN1427TE85LF凭借其预偏置特性，能够简化电路设计，降低功耗，并提高系统的稳定性和可靠性，适用于多种低功率、高精度的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1427 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN1427TE85LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1421 |
| 产品型号 | RN1427TE85LFRN1427TE85LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 100mA，1V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 典型电阻器比率 | 0.22 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 800 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 800mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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