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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD123ES,126由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD123ES,126价格参考。NXP SemiconductorsPDTD123ES,126封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTD123ES,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTD123ES,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 PDTD123ES,126 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产,属于 预偏置双极性晶体管(BJT),其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计并提高了稳定性。该器件广泛应用于以下场景: 1. 开关电路:适用于数字电路中的开关控制,如逻辑电平转换、继电器或LED驱动,因其集成电阻可减少外部元件数量,提高可靠性。 2. 信号放大:在低频信号放大电路中作为前置放大器或驱动放大器使用,适用于音频设备、传感器信号调理等场合。 3. 电源管理:用于电源开关、负载切换等场景,适用于电池供电设备、便携式电子产品中的功率控制。 4. 汽车电子:由于NXP在汽车半导体领域的广泛应用,该晶体管也适用于车载控制系统,如车灯驱动、电机控制、车载传感器接口等。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器驱动、小型电机控制和接口电路。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计。其预偏置特性降低了设计复杂度,特别适合对空间和可靠性要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTD123ES,126 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 50mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 934059143126 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |