Datasheet下载- 型号： PDTC144VU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC144VU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC144VU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC144VU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC144VU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC144VU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC144VU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（预偏置 NPN 双极型晶体管），内置基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=100 kΩ），采用 SOT-363（SC-88）小型封装。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO输出驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗MOSFET栅极，无需外置偏置电阻，简化PCB设计。 2. 开关应用：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作高效、低功耗的信号开关，支持高达100 mA的连续集电极电流（IC），开关速度快、响应稳定。 3. 数字电路中的反相器/缓冲器：利用其内置电阻网络实现简单逻辑功能，常用于电源管理模块中的使能控制、复位信号整形或状态指示电路。 4. 传感器信号调理前端：配合光敏、霍尔或按键等数字传感器，提供电平适配与噪声抑制，增强抗干扰能力。 该器件具有高增益（hFE ≈ 80–120 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.15 V @ IC = 10 mA）、ESD防护（HBM > 4 kV），并符合AEC-Q100（Grade 2）车规标准，亦广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。其SOT-363封装支持高密度贴装，适合空间受限的消费电子与工业控制产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC144VU,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934058796115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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