ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114EMB,315
Datasheet下载- 型号： PDTC114EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114EMB,315价格参考￥0.12-￥0.12。NXP SemiconductorsPDTC114EMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTC114EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC114EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=10 kΩ），采用超小型 SOT-883（SC-101）封装，具有低功耗、高可靠性及简化外围电路设计等优势。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、ESP32、PIC）IO口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，实现3.3V/5V TTL/CMOS信号的开关控制； ✅ 负载开关与电源管理：在便携式设备中用作低侧开关，控制LCD背光、传感器供电或USB外设电源通断； ✅ 信号调理与脉冲放大：适用于低频（≤100 MHz）开关应用，如编码器信号整形、按键消抖电路、红外接收器输出缓冲等； ✅ 电池供电设备：因ICEO极低（典型值1 nA）、IB无需外部偏置电阻，显著降低待机功耗，广泛用于智能穿戴、无线传感器节点（IoT终端）等对尺寸与功耗敏感的场景。 该器件工作电压范围宽（VCEO=50 V），最大连续集电极电流达100 mA，支持SMT全自动贴装，符合AEC-Q200（部分版本）及RoHS标准，适合高密度PCB设计。注意：不适用于线性放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC114EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934067008315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
