Datasheet下载- 型号： DRA5114E0L
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DRA5114E0L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DRA5114E0L价格参考。Panasonic CorporationDRA5114E0L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DRA5114E0L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DRA5114E0L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DRA5114E0L、品牌为Panasonic Electronic Components的晶体管，属于预偏置双极性晶体管（BJT），主要应用于以下场景： 该器件常用于汽车电子系统中，如发动机控制模块、车身控制模块和传感器接口电路。其预偏置设计简化了电路设计，提高了稳定性和可靠性，适合在高温、高振动等恶劣环境中使用。 此外，它也适用于工业自动化设备中的开关控制电路和信号处理电路，尤其在需要快速响应和稳定性能的场合表现优异。 由于其集成电阻结构，还可用于消费类电子产品中，例如家电控制电路、LED驱动电路等，实现对负载的高效开关控制。 总之，DRA5114E0L凭借其高可靠性、集成化设计和良好的温度特性，广泛应用于汽车、工业及消费类电子领域中的通用开关与放大电路。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Panasonic DRA5114E0L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDB7004+DRA5114E+8+WW |
| 产品型号 | DRA5114E0LDRA5114E0L |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMini3-F2-B |
| 其它名称 | DRA5114E0LCT |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-85 |
| 封装/箱体 | SMini3-F2-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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