Datasheet下载- 型号： NSBA114EF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA114EF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA114EF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA114EF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA114EF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA114EF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSBA114EF3T5G的ON Semiconductor双极晶体管（BJT），属于预偏置型晶体管，具有内置偏置电阻，简化了电路设计，提高了稳定性。该器件常用于需要高效、稳定信号放大的场合。 其主要应用场景包括： 1. 放大电路：适用于音频放大器、射频（RF）信号放大器等，用于增强微弱信号，提升信号强度和质量。 2. 开关电路：由于其快速响应特性，常用于数字电路中的开关控制，如电源管理、LED驱动、继电器控制等。 3. 接口电路：用于不同电压或电流等级之间的信号转换与隔离，确保系统各部分稳定通信。 4. 工业控制：在自动化设备、传感器信号调理、电机控制等工业应用中，作为关键的信号处理与控制元件。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于低功耗、小型化电路设计。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小、便于集成，适用于便携设备和高密度PCB布局。内置偏置电阻设计减少了外部元件数量，提高了电路可靠性，降低了设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA114EF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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