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Datasheet下载- 型号： RN1107ACT(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN1107ACT(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN1107ACT(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN1107ACT(TPL3)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN1107ACT(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN1107ACT(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN1107ACT(TPL3) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌下的 预偏置双极型晶体管（BJT），其主要特点是内置偏置电阻，能够简化电路设计并提高稳定性。该器件常用于以下几种典型应用场景： 1. 开关电路：由于内置偏置电阻，可直接通过数字信号控制导通与截止，适用于逻辑控制的开关场合，如继电器、LED驱动等。 2. 接口电路：在微控制器或数字IC与功率器件之间作电平转换和驱动放大使用，起到信号增强和隔离作用。 3. 传感器驱动：用于小型传感器模块的信号调理或驱动电路中，提升系统集成度和可靠性。 4. 消费类电子产品：如手机配件、数码相机、便携式音频设备中，作为小型信号开关或放大元件。 5. 工业控制：用于自动化设备中的小功率执行机构控制，如电磁阀、小型电机、继电器驱动等。 6. 汽车电子：在车载控制系统中用于灯光控制、风扇调速等低功耗应用。 该晶体管因其体积小、外围电路简单、抗干扰能力强等特点，特别适合高密度PCB布局和对可靠性要求较高的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN NPN CST3 50V 100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1107ACT |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RN1107ACT(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 其它名称 | RN1107ACT(TPL3)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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