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  • 型号: NSBC114YF3T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YF3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBC114YF3T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114YF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114YF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为NSBC114YF3T5G的晶体管属于安森美半导体(ON Semiconductor)的预偏置双极结型晶体管(BJT),具有集成电阻器,适用于简化电路设计并减少外部元件数量。该器件常用于以下应用场景:

1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,NSBC114YF3T5G可直接用于数字电路驱动的开关应用,如逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等。

2. 放大电路:适用于低频信号放大,如音频前置放大、传感器信号调理等,尤其在对功耗和电路复杂度有要求的场合。

3. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为电平转换或驱动增强元件,提升系统稳定性和响应速度。

4. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等设备中,用于电源管理、信号切换等。

5. 汽车电子:用于车载控制系统中的传感器接口、继电器控制及LED照明驱动等,满足较高的可靠性和稳定性要求。

该晶体管具有体积小、集成度高、使用方便等特点,适合高密度PCB布局和批量生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSBC114YF3T5G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SOT-1123

功率-最大值

254mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1123

晶体管类型

NPN - 预偏压

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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