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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD113ZS,126由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD113ZS,126价格参考。NXP SemiconductorsPDTD113ZS,126封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTD113ZS,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTD113ZS,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PDTD113ZS,126的器件由品牌NXP USA Inc.生产,属于预偏置双极性晶体管(BJT)中的单晶体管类别。该器件主要应用于需要高效、稳定信号处理和开关功能的电子电路中。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑电路与数字开关:该晶体管可用于逻辑控制电路中,作为信号开关使用,适用于低功率数字电路中的电平转换或信号隔离。 2. 电源管理电路:由于其预偏置设计,无需外部偏置电阻,简化了电路结构,适用于便携式设备、电源适配器或DC-DC转换器中的小型开关电路。 3. 传感器接口电路:在传感器信号处理中,可用于放大或开关控制,适用于工业自动化、消费电子和汽车电子中的传感系统。 4. LED驱动电路:适用于低功率LED背光或指示灯控制,作为电流控制开关使用,提升系统集成度和可靠性。 5. 汽车电子系统:如车载控制模块、车身电子系统等,适用于对空间和功耗有要求的场景。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、功耗低,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PDTD113ZS,126 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | 934059145126 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
频率-跃迁 | - |