Datasheet下载- 型号： PDTD113ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTD113ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTD113ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTD113ET,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTD113ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTD113ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTD113ET,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的预偏置双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要高效信号放大和开关功能的电子电路中，具体应用场景包括但不限于以下方面： 1. 音频信号放大 该晶体管适用于低功率音频设备中的信号放大，例如耳机放大器、小型扬声器驱动电路等。其预偏置特性可以简化电路设计，提高音频信号的线性放大能力。 2. 信号调节与处理 在传感器信号调理电路中，PDTD113ET,215 可用于将微弱的输入信号放大到适合后续处理的电平范围。例如，在工业自动化或医疗设备中，可用于放大温度、压力或生物电信号。 3. 电源管理 该晶体管可作为开关元件，用于简单的电源管理电路中，例如电池充电保护、负载开关控制等。其快速开关特性和稳定的电流增益使其在低功耗应用中表现优异。 4. 通信设备 在低频通信系统中，PDTD113ET,215 可用作射频（RF）信号的前置放大器或调制解调电路中的关键元件，确保信号的稳定传输和接收。 5. 消费电子产品 该型号广泛应用于各种消费类电子产品中，如遥控器、玩具、智能家居设备等，提供可靠的信号放大和开关功能。 6. 工业控制 在工业领域，PDTD113ET,215 可用于电机驱动、继电器控制等场景，作为驱动电路中的核心元件，实现对负载的精确控制。 7. 汽车电子 该晶体管也可应用于汽车电子系统的辅助电路中，例如车灯控制、音响系统等，提供稳定的工作性能。 总结来说，PDTD113ET,215 的预偏置设计使其在信号放大、开关控制和电源管理等领域具有广泛应用价值，尤其适合对成本敏感且需要高可靠性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTD113ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTD113ET,215 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 50mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934058975215 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 33 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTD113ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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