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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123JU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123JU,115价格参考¥0.13-¥1.26。NXP SemiconductorsPDTC123JU,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3。您可以下载PDTC123JU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC123JU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123JU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管(即带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管,BRT)。其内部集成一个 2.2 kΩ 输入电阻(R1)和一个 10 kΩ 上拉/反馈电阻(R2),构成典型的“1-resistor bias + emitter resistor”结构(实际为 R1-R2 分压偏置),可直接由低电平逻辑信号(如 3.3V 或 5V MCU GPIO)驱动,无需外接偏置电路。 典型应用场景包括: 🔹 数字开关控制:用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器、小功率MOSFET栅极等负载,实现电平转换与电流放大; 🔹 微控制器接口缓冲/电平适配:在MCU I/O驱动能力不足时提供增强驱动能力(Ic max = 100 mA,hFE ≈ 50–120); 🔹 低成本逻辑反相器或开关电路:配合上拉电阻可构建简单反相开关功能; 🔹 便携式电子设备:因采用超小型 SOT-323(SC-70)封装,适用于空间受限的手机、TWS耳机、可穿戴设备等; 🔹 工业及家电控制板:用于面板按键扫描、状态指示、传感器信号调理等中低速开关场合(fT ≈ 250 MHz,满足一般开关需求)。 注意:不适用于线性放大、高频模拟信号处理或大电流/高功耗场景。需确保输入电压不超过 VEB(max = 6 V),并合理计算基极限流以避免过驱动。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC123JU,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC123JU,115 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-11248-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC123JU T/R |
| 频率-跃迁 | - |