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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2215LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2215LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2215LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2215LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2215LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMUN2215LT1是一款预偏置双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件属于NPN型,采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装。其主要应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路。 在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,MMUN2215LT1常用于LED驱动、信号开关和电源管理,因其集成电阻可减少外围元件数量,节省PCB空间并提升可靠性。在各类小功率开关电路中,如传感器信号调理、逻辑电平转换和继电器驱动,该晶体管表现出良好的响应速度和稳定性。 此外,由于其低导通电流和高增益特性,也广泛应用于电池供电设备中,有助于降低功耗,延长续航时间。工业自动化模块、家用电器控制板以及通信设备中的接口电路同样常见该型号的应用。 总之,MMUN2215LT1凭借其集成化设计、稳定性能和小型封装,适用于对空间和能效有较高要求的中低功率开关与放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2215LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |