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DRA3124E0L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DRA3124E0L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DRA3124E0L价格参考。Panasonic CorporationDRA3124E0L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B。您可以下载DRA3124E0L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DRA3124E0L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DRA3124E0L、品牌为Panasonic Electronic Components的晶体管,属于预偏置双极性晶体管(BJT),其应用场景主要包括以下几类: 该器件常用于汽车电子系统中,例如发动机控制单元、车载传感器和电动助力转向系统等,因其具备高可靠性和耐恶劣环境的特点。此外,在工业自动化设备中,如PLC控制器、继电器驱动电路以及电源管理模块,该晶体管也可作为开关元件使用。 由于其集成预偏置电阻,可简化外围电路设计,因此在消费电子产品中也有应用,比如打印机、复印机等办公设备中的电机驱动或信号处理电路。 总体而言,DRA3124E0L适用于需要小型化、高稳定性和简化电路设计的低功率开关与放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDB7004+DRA3124E+8+WW |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | DRA3124E0L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SSSMini3-F2-B |
| 其它名称 | DRA3124E0LCT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |