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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA114EEFRATL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA114EEFRATL价格参考。ROHM SemiconductorDTA114EEFRATL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTA114EEFRATL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTA114EEFRATL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA114EEFRATL是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款预偏置双极晶体管(BJT),属于NPN型,内置基极-发射极电阻,简化了外部电路设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 其主要应用场景包括:开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器或蜂鸣器控制、电源管理模块以及各类低功耗信号放大电路。由于集成内部电阻,DTA114EEFRATL可直接由微控制器I/O口驱动,无需外接偏置电阻,有效缩小PCB面积,提升系统可靠性,特别适合空间受限的高密度电路设计。 该晶体管具有低导通电压、快速开关响应和良好的热稳定性,工作温度范围宽,适用于工业控制、家用电器(如电视、空调控制板)、通信设备及智能手机周边电路等环境。同时,其符合环保标准(如无铅、RoHS兼容),适合现代绿色电子产品制造需求。 综上,DTA114EEFRATL是一款高集成度、易用性强的预偏置晶体管,适用于各类中小功率开关与信号控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 Trans Digital BJT PNP 100mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTA114EEFRATL- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTA114EEFRATL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |