Datasheet下载- 型号： RN2402S,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN2402S,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN2402S,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN2402S,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN2402S,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN2402S,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN2402S,LF 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）旗下产品，是一款 预偏置双极型晶体管（BJT），具体分类为 单预偏置NPN晶体管。 应用场景： 1. 便携式电子设备： 由于该器件内置偏置电阻，简化了外围电路设计，适用于如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品中，用于信号切换或小功率驱动。 2. 逻辑电路与接口电路： 常用于数字电路中的电平转换、逻辑开关、缓冲器等场景，也可作为微控制器与高功率负载之间的接口驱动元件。 3. 传感器驱动与信号处理： 在各类传感器模块中，用于放大微弱信号或作为开关控制，例如在温度、光感、加速度传感器中做信号调理。 4. LED背光与指示灯驱动： 适用于中低功率LED背光、指示灯控制电路，提供稳定开关性能，简化电路设计。 5. 电源管理电路： 在DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理等电路中作为控制开关使用，实现高效能管理。 6. 消费类电子产品： 如电视、音响、数码相机等产品中，用于音频开关、继电器驱动、马达控制等。 该晶体管因集成偏置电阻，具备高可靠性、低功耗和小封装优势，适合高密度PCB布局和自动化生产需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 50V 100MA S-MINI开关晶体管 - 偏压电阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN2402S,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2403 |
| 产品型号 | RN2402S,LFRN2402S,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | RN2402SLF |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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