Datasheet下载- 型号： MUN2113T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2113T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2113T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2113T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2113T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2113T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2113T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该器件常用于需要简化电路设计、提高稳定性的应用场景中。 MUN2113T1G 主要应用于以下领域： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制电路中，实现对电流的高效控制。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机的开关控制，提供稳定的工作点，减少外围偏置元件的需求。 3. LED照明驱动：在LED背光或照明系统中作为恒流源或开关元件，提高系统可靠性和效率。 4. 工业自动化控制：用于PLC、传感器接口、继电器驱动等工业控制电路中，增强抗干扰能力和稳定性。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、家用电器等设备中的电源切换或信号控制电路。 6. 汽车电子：适用于车载充电系统、车灯控制模块等场景，满足汽车电子对可靠性和工作温度范围的高要求。 该晶体管集成内部偏置电阻，简化了设计流程，减少了PCB空间占用，提高了电路的一致性和可靠性，适合中低功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2113T1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2113T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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