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PDTA124XT,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124XT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124XT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124XT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA124XT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA124XT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124XT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻(R1=220 kΩ,R2=220 kΩ)的NPN型数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)单管。其典型应用场景包括: - 逻辑电平接口与信号切换:常用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)IO口驱动,将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑电平直接转换为开关信号,无需外置偏置电阻,简化PCB设计。 - LED驱动:适用于中小电流LED(≤100mA)的恒流/开关控制,如状态指示灯、背光控制、数码管段选驱动等。 - 继电器/小型电磁阀驱动:配合续流二极管,可直接驱动线圈电压≤24V、吸合电流≤100mA的微型继电器或执行器。 - 电源使能控制与负载开关:在LDO或DC-DC电源的EN引脚控制中,实现低功耗启停管理。 - 电平转换与反相器应用:利用其内置反馈电阻结构,可构成简易反相缓冲器,用于噪声抑制和波形整形。 该器件具有高输入阻抗、稳定开关特性、ESD防护(HBM ≥4kV)及AEC-Q101可靠性认证(符合汽车级标准),因此也广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、工业传感器接口及消费类电子(如智能家电、IoT终端)中对空间、成本与可靠性要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA124XT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA124XT,215 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11234-2 |
| 典型电阻器比率 | 0.476 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTA124XT T/R |
| 频率-跃迁 | - |