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  • 型号: PDTA124XT,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PDTA124XT,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124XT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124XT,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124XT,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTA124XT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA124XT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTA124XT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置基极-发射极偏置电阻(R1=220 kΩ,R2=220 kΩ)的NPN型数字晶体管(Digital Transistor, DTR),属于预偏置双极结型晶体管(BJT)单管。其典型应用场景包括:

- 逻辑电平接口与信号切换:常用于微控制器(如ARM、AVR、PIC)IO口驱动,将3.3V/5V TTL/CMOS逻辑电平直接转换为开关信号,无需外置偏置电阻,简化PCB设计。

- LED驱动:适用于中小电流LED(≤100mA)的恒流/开关控制,如状态指示灯、背光控制、数码管段选驱动等。

- 继电器/小型电磁阀驱动:配合续流二极管,可直接驱动线圈电压≤24V、吸合电流≤100mA的微型继电器或执行器。

- 电源使能控制与负载开关:在LDO或DC-DC电源的EN引脚控制中,实现低功耗启停管理。

- 电平转换与反相器应用:利用其内置反馈电阻结构,可构成简易反相缓冲器,用于噪声抑制和波形整形。

该器件具有高输入阻抗、稳定开关特性、ESD防护(HBM ≥4kV)及AEC-Q101可靠性认证(符合汽车级标准),因此也广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、工业传感器接口及消费类电子(如智能家电、IoT终端)中对空间、成本与可靠性要求较高的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA124XT,215-

数据手册

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产品型号

PDTA124XT,215

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-11234-2
934057530215
PDTA124XT T/R
PDTA124XT T/R-ND
PDTA124XT,215-ND

典型电阻器比率

0.476

典型输入电阻器

22 kOhms

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

22k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTA124XT T/R

频率-跃迁

-

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